Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 60
    Por volta de 60% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16 left arrow 6.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.5 left arrow 4.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
    Por volta de 1.13% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 60
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 6.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.5 left arrow 4.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2925 left arrow 1400
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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