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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
52
Por volta de 54% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
52
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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