RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
40
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
40
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link