RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
43
Por volta de 44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
43
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.7
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2928
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link