RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link