RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de 27% menor latência
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.1
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
12.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
21.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.5
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3437
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link