Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    24 left arrow 39
    Por volta de 38% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16 left arrow 15.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 12.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 19200
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    24 left arrow 39
  • Velocidade de leitura, GB/s
    16.0 left arrow 15.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.5 left arrow 12.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2925 left arrow 3000
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações