RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
29
Por volta de 17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
29
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link