RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
53
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
53
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
7.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2333
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link