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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Razões a considerar
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
24
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
21
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
13.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3042
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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