RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
42
Por volta de 43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
11.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
42
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
11.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
9.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2551
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link