RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
24
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2580
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link