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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
26
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
12.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
26
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
14.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3068
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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