RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de 37% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.2
6.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
43
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.2
11.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
2615
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparações de RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link