RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
27
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
6.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
18
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
6.2
17.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
3814
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparações de RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link