RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
40
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
40
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1610
2031
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link