RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
42
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
42
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1610
2525
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link