RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
71
Por volta de 69% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
71
Velocidade de leitura, GB/s
15.1
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1902
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link