RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
10.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
22
22
Velocidade de leitura, GB/s
15.1
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3075
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparações de RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link