RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
61
Por volta de -177% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,670.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,529.3
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.4
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
517
3075
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link