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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
13.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
43
Por volta de -39% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
31
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
13.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
3318
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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