RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
43
79
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
7.3
5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
4.7
2,160.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
79
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
7.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
4.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
1671
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link