RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
13.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
3367
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link