RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
20.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
43
Por volta de -65% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
26
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
16.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
4084
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link