RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
20.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
18.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
43
Por volta de -87% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
23
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
18.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
4173
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link