RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,160.7
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
12.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
3158
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link