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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
43
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,160.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
33
Velocidade de leitura, GB/s
5,987.5
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,160.7
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
957
2227
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
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