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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Pontuação geral
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
69
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
6.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
46
Velocidade de leitura, GB/s
14.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
6.1
12.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1542
2660
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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