RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
56
Por volta de -143% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.7
2,475.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8800
Por volta de 1.93 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,878.3
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,475.5
6.7
Largura de banda de memória, mbps
8800
17000
Other
Descrição
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
598
2339
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparações de RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link