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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,475.5
11.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
56
Por volta de -44% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
8800
Por volta de 2.91 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
39
Velocidade de leitura, GB/s
4,878.3
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,475.5
11.9
Largura de banda de memória, mbps
8800
25600
Other
Descrição
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
598
2782
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparações de RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
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