RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Comparar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,475.5
19.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
56
Por volta de -155% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8800
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,878.3
21.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,475.5
19.6
Largura de banda de memória, mbps
8800
21300
Other
Descrição
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
598
4240
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparações de RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link