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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Kingston 9905402-665.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
122
Por volta de 76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.8
9.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.8
5.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
122
Velocidade de leitura, GB/s
10.8
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.5
5.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1824
1411
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB Comparações de RAM
Kingston 9905402-174.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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