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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Comparar
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1976
2714
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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