RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
9.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1976
2611
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link