RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Comparar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
27
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2418
2684
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB Comparações de RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link