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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
68
Por volta de 60% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
68
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2418
2007
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
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