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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
9.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
38
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
9.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2402
2110
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
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