RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparar
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
35
Por volta de 31% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
35
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
10.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2402
2068
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link