RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
34
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
34
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2926
2831
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparações de RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link