RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
36
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
10.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
36
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
10.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2926
2581
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparações de RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link