RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
57
Por volta de 68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
9.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
7.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
57
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
7.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2926
2213
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparações de RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link