RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparar
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
17
40
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
17
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
16.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2124
3550
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link