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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Comparar
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
32
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2489
2942
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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