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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Comparar
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
38
Por volta de 34% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
12.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2239
3005
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
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