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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
32
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
8.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
19.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2239
3372
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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