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Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Comparar
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB vs Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
12.4
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
35
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1885
1865
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 99U5471-001.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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