RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Comparar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
32
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1896
3098
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link