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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Comparar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs INTENSO 5641162 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Pontuação geral
INTENSO 5641162 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Razões a considerar
INTENSO 5641162 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
25
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1896
2799
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
INTENSO 5641162 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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