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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1896
3650
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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