RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Comparar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
73
Por volta de -128% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.2
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
32
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
15.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
3469
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link